- 捷捷微電:目前擁有氮化鎵相關實用新型專利2件
- 2020年02月21日 來源:證券時報
提要:捷捷微電 2月21日在互動平臺表示,公司已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件。
捷捷微電 2月21日在互動平臺表示,公司已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件,截至至2月20日,公司擁有氮化鎵相關實用新型專利2件,此外,公司還有3個發明專利,1個實用新型專利尚在申請受理中。
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