- 捷捷微電:目前擁有氮化鎵相關(guān)實(shí)用新型專利2件
- 2020年02月21日 來(lái)源:證券時(shí)報(bào)
提要:捷捷微電 2月21日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件。
捷捷微電 2月21日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件,截至至2月20日,公司擁有氮化鎵相關(guān)實(shí)用新型專利2件,此外,公司還有3個(gè)發(fā)明專利,1個(gè)實(shí)用新型專利尚在申請(qǐng)受理中。
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