川財證券發(fā)布海特高新的研報指出，拓展化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，未來將受益于5G、AI等應(yīng)用市場爆發(fā)：GaAs和GaN在射頻器件中的使用量激增，一是終端側(cè)，5G技術(shù)下，射頻PA面臨更高的功率、頻率及效率要求，Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等特點，CMOS工藝已不能滿足要求，因此PA將逐步過渡到GaAs時代；二是基站側(cè)，GaN材料憑借適用高頻、高輸出功率的優(yōu)勢，也將逐步替代SiLDMOS得到大幅運用。公司積極拓展化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，已建成國內(nèi)首條6寸化合物半導(dǎo)體商用生產(chǎn)線，并完成包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅及磷化銦在內(nèi)的6項工藝產(chǎn)品的開發(fā)，可支持功率放大器、低噪音放大器、開關(guān)、光電探測器等產(chǎn)品。首次覆蓋給予“增持”評級。